干貨滿滿真空鍍膜真空蒸鍍工藝流程
發(fā)布時間:2023-12-15 14:27:04 點擊次數(shù):9237 次國泰君安發(fā)布研究報告稱,重視鈣鈦礦從0-1關鍵時期,鍍膜設備享受路線快速迭代福利期。鈣鈦礦電池核心工藝路線未定,助力性能提升、不同于晶硅工藝的鍍膜設備享受廣闊空間。例如以低成本為代表的狹縫涂布設備,及以低損傷著稱的鍍膜類設備如真空蒸鍍、RPD、ALD等。該行認為隨著規(guī)模化上量,真空蒸鍍機有望進一步降本。當前制膜路線尚未確定,能夠制備出大面積、高效率、高良品率鈣鈦礦器件的涂/鍍膜設備將率先占領市場。
國泰君安主要觀點如下:
鈣鈦礦核心工藝在鍍膜,短期對效率關注高于成本。
當前鈣鈦礦電池工藝路線尚未完全確定,核心鍍膜工藝設計多樣,各有優(yōu)勢。中短期效率提升將是鈣鈦礦企業(yè)第一要務,制備工真空爐體加熱元件藝可參考具備相似器件結構和光電轉化原理的OLED面板行業(yè)。OLED真空蒸鍍工藝可直接遷移至鈣鈦礦電池中,有利于實現(xiàn)良品率高、均一性好的薄膜。由于鈣鈦礦電池對真空蒸鍍精度要求更低、所需工序更少、氣密性要求低,結構簡單,價格將遠低于OLED用真空蒸鍍設備。隨著規(guī)模化上量,真空蒸鍍機有望進一步降本。當前制膜路線尚未確定,能夠制備出大面積、高效率、高良品率鈣鈦礦器件的涂/鍍膜設備將率先占領市場。
遠期高性價比優(yōu)勢顯著,降本路徑參考HJT工藝。
受鈣鈦礦器件特質影響,其對成本控制更加敏感,遠期鈣鈦礦行業(yè)將追求極致的性價比,從投資到生產(chǎn)需要全面降本。HJT工藝通過多層功能層沉積制備,且同主流晶硅路線較難遷移,真空爐體加熱元件可以HJT行業(yè)的投資額下降路徑為參考考慮鈣鈦礦器件降本空間。隨著鈣鈦礦電池GW級規(guī)模起量,投資成本有望降低至當前1/2以上,而單機產(chǎn)能提升及核心零部件國產(chǎn)替代后,預計將為鈣鈦礦產(chǎn)業(yè)提供更大降本可能。
重視鈣鈦礦從0-1關鍵時期,鍍膜設備享受路線快速迭代福利期。
鈣鈦礦電池核心工藝路線未定,助力性能提升、不同于晶硅工藝的鍍膜設備享受廣闊空間。例如以低成本為代表的狹縫涂布設備,及以低損傷著稱的鍍膜類設備如真空蒸鍍、RPD、ALD等。真空蒸鍍設備從OLED產(chǎn)業(yè)遷移,OLED領域龍頭基礎牢固。RPD、ALD、PVD等設備以廣泛應用于晶硅光伏行業(yè),光伏設備龍頭具備先發(fā)優(yōu)勢。
激光策略類似薄膜電池,高價值量高標真空爐體加熱元件準吸引優(yōu)質廠商入局。
受鈣鈦礦柔性材料特質影響,鈣鈦礦電池需要通過激光劃線實現(xiàn)串聯(lián),因此所需4道激光工藝最為確定。百兆瓦級激光設備價值量約1000萬元。由于鈣鈦礦電池對激光刻蝕精度遠高于晶硅電池,刻蝕尺度在幾十納米,更類似于薄膜電池、半導體行業(yè)刻蝕,前期具備高精度激光刻蝕行業(yè)供貨能力的廠商更具競爭力。